| 型号：SI6975DQ-T1-GE3 | 类别：FET - 阵列 | 制造商：Vishay Siliconix |
| 封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 描述：MOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP | |
详细参数
| 类别 | FET - 阵列 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP |
| 系列 | TrenchFET® |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| FET型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 12V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 4.3A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 27 毫欧 @ 5.1A，4.5V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 450mV @ 5mA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 30nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | - |
| 功率_最大 | 830mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-TSSOP |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市科雨电子有限公司 | 汪小姐，15173547089，无线联通更快捷！171-4729-1886（微信同号） |
| 深圳市易信优科技有限公司 | 陈佳隆0755-23914006/18318877587 |
| 深圳市宇明芯科技有限公司 | 李小姐0755-83051566 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 深圳市芯满林科技有限公司 | 夏小姐18926544209/18025435189 |
| 北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
| 北京首天伟业科技有限公司 | 刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
| 北京显周科技有限公司 | 刘先生13910052844（微信同步） |
| 深圳市金嘉锐电子有限公司 | 朱先生086-0755-22929859 |
SI6975DQ-T1-GE3相关型号
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36-VFQFN 裸露焊盘
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径向
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Recom Power
10-DIP SMD 模块（6 引线）
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径向，Can
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功率，高于 2 安
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径向
CAP CER 150PF 100V 1% RADIAL
- RTD-1505/HP-R
DC DC Converters
Recom Power
10-DIP SMD 模块（6 引线）
CONV DC/DC 2W 15VIN +/-05VOUT
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径向，Can
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FET - 阵列
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8-TSSOP（0.173＂，4.40mm 宽）
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0402（1005 公制）
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8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
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- SI6981DQ-T1-GE3
FET - 阵列
Vishay Siliconix
8-TSSOP（0.173＂，4.40mm 宽）
MOSFET P-CH D-S 20V 8-TSSOP
- RT0402CRE0720K5L
芯片电阻 - 表面安装
Yageo
0402（1005 公制）
RES 20.5KOHM 1/16W .25% SMD 0402
- RT0805CRD0715K8L
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10-DIP SMD 模块（6 引线）
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功率，高于 2 安
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2010（5025 公制）
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陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 150PF 100V 5% RADIAL
- SI4228DY-T1-GE3
FET - 阵列
Vishay Siliconix
8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
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0402（1005 公制）
RES 20.5 OHM 1/16W .25% SMD 0402
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功率，高于 2 安
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2010（5025 公制）
RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 8A 5V
- RT0805CRD07160RL
芯片电阻 - 表面安装
Yageo
0805（2012 公制）
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